钝化离子注入平面硅探测器（PIPS）
针对α和β带电粒子的探测，钝化离子注入平面硅探测器（PIPS）为新一代性能优异的核探测器。公司可提供各种标准规格及定制其他规格的PIPS探测器
- 产品描述
- 功能特点
- 应用领域
- 技术指标
针对α和β带电粒子的探测，钝化离子注入平面硅探测器（PIPS）为新一代性能优异的核探测器。
PIPS探测器为结型半导体探测器，其制作原理主要为利用加速器产生具有一定能量的正离子束流，使其直接穿透半导体材料（硅）表面而形成PN结。带电粒子在探测器的耗尽区里发生相互作用产生大量的电子空穴对，它们最初的空间分布取决于射线的种类和能量。在一定时间内这些电子空穴对被分离和收集，这一时间取决于电子空穴对的几何位置、探测器耗尽区的电场强度和电场的分布以及件工作温度下的载流子迁移率。收集时间的不同造成了脉冲上升时间的不同。
α、β 粒子在探测器中的射程不同，使得电子空穴对分布不同，电荷收集时间也不同，从而探测器最终输出的脉冲形状也不同。
【应用领域】
Ø高能物理实验
Ø核物理与放射性监测
Ø空间与天文探测
Ø医疗成像与诊断
Ø工业无损检测与安全
公司可提供各种标准规格及定制其他规格的PIPS探测器，如下：
探测灵敏区面积 （mm2） | α能量分辨率 （keV） | β能量分辨率 （keV） | 探测器类型 | 灵敏区厚度 （μm） | 探测器偏压 （V） | 应用类型 |
50 | 12 | 6 | 高分辨率型 | 300 ± 30 | 50-70 | α/β能谱测量 |
100 | 14 | 8 | 高分辨率型 | 300 ± 30 | 50-70 | α/β能谱测量 |
300 | 16 | 14 | 高分辨率型 | 300 ± 30 | 50-70 | α/β能谱测量 |
450 | 20 | 15 | 高分辨率型 | 400 +/- 30 | 50-70 | α/β能谱测量 |
450 | 25 | 17 | 镀层型 | 400 +/- 30 | 50-70 | 空气放射性监测 |
600 | 25 | 23 | 高分辨率型 | 400 +/- 30 | 50-70 | α/β能谱测量 |
600 | 30 | 20 | 镀层型 | 400 +/- 30 | 24-48 | 空气放射性监测 |
900 | 30 | 20 | 高分辨率型 | 400 +/- 30 | 50-70 | α/β能谱测量 |
900 | 35 | 23 | 镀层型 | 400 +/- 30 | 50-70 | 空气放射性监测 |
1200 | 35 | 30 | 高分辨率型 | 400 +/- 30 | 50-70 | α/β能谱测量 |
1200 | 38 | 33 | 镀层型 | 400 +/- 30 | 50-70 | α/β能谱测量 |
*成型时间：≤1μs *以上为常用标准规格，可按用户需求提供其他更大探测面积的规格定制。 | ||||||
